通过芯片解密失败原因分析提高破解芯片的成功率

芯片解密公司一般不保证芯片解密的百分之百成功，芯片解密会受到多种内外因素影响而造成解密的失败。

芯片解密失败的原因很多，有人为因素，也有客观环境因素的影响等等，下面是集中常见的造成芯片失败的原因：

1.DECAP（芯片开封技术）存在失败的可能（这种占解密失败原因的绝大部分）：

Decap即开封，也称开盖，开帽，指给完整封装的IC做*局部腐蚀，使得IC可以暴露出来，同时保持芯片功能的完整无损, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受损伤, 为下一步芯片失效分析实验做准备，方便观察或做其他测试（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。

A.过腐蚀，PAD腐蚀坏，外部不能读出程序

B.芯片流片工艺不好，DECAP的时候容易腐蚀PASSVATION表层（钝化层），使管芯实效，外部无法读出程序

C.开盖的时候把PIN脚氧化（酸弄到管脚上了）

D.无意中弄断AL线

E.芯片机使用特殊封装材料，无法和酸反应

F.管芯特殊封装，不在芯片正中位置，极容易开坏

E:芯片封装的时候有杂质，无法进行化学反应。　

2.FIB（聚焦离子束技术）存在失败的可能：

FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam)是将离子源(大多数FIB都用Ga，也有设备具有He和Ne离子源)产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后作用于样品表面。产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似，用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属，氧化硅层或沉积金属层。

A:芯片流片工艺小，位子没有找正确

B:FIB连线过长，离子注入失效

C:离子注入强度没有控制好

D:FIB设备存在问题

E:某些芯片破解，需要在同一小区域做多项FIB，或者在同一时间内，做多项FIB，那么就容易FIB出现问题。